该设备是适用于硅基半导体及化合物半导体前后道的等离子体去胶设备，可用于光刻胶灰化/残胶去除和表面处理，该系列有两种配置分别兼容4“/6”/8“或8“/12“晶圆。设计紧凑占地面积小，设备稳定可靠、易于维护、产能高。
兼容晶圆尺寸为：4 ” /6 ” /8”或8 ” /12 ” |
支持2 个开放式晶圆匣或SMIF |
高精度3 轴机械手 |
2种可选等离子体源： • RPS (400KHz Toroidal远程等离子体源 ) • 电感耦合等离子体源 (13.56MHz) |
高密度等离子体，去胶速率快 |
优异的均匀性和重复性 |
占地面积小 |
耗材成本（COC）和使用成本（COO)低 |
人性化的人机交互操作系统 |
工业计算机Windows |
6 ”到8 ”硅基半导体生产线 • 刻蚀后光刻胶灰化 • 残胶去除 • 高剂量离子注入后光刻胶去除 |
3 ”到6 ”碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟等化合物半导体生产线光刻胶灰化 • 残胶去除 • 高剂量离子注入后光刻胶去除 • 图形下光刻胶释放 |
8 ”到12”晶圆级封装生产产线光刻胶残胶去除 • 有机物去除 • 晶圆表面处理 |
