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OKAMOTO GNX200BP晶圆研磨/晶圆减薄特点： |
GNX200BP是一款持续向下进给式减薄设备，采用机械臂传送硅片，减薄完成后，有两个独立的清洗腔，清洗效果更佳。工作盘转速、主轴转速、主轴下压速度都可调，有助于平衡产量、减薄品质、磨轮寿命。采用两点式实时测厚仪测量主轴1和主轴2下的硅片厚度，采用3点测控主轴角度调整机构来控制加工的平整度(TTV)。减薄工序完成后，硅片即会被自动传送的抛光腔，经过抛光工序，去除硅片表面损伤，提高晶圆强度，最薄可以加工50μm的晶圆。
OKAMOTO GNX200BP晶圆研磨/晶圆减薄规格参数： |
支持最大wafer尺寸 | 8英寸 |
主轴形式 | 空气主轴，最高3600rpm |
主轴驱动电机功率 | 2.2kW/4kW |
磨轮直径 | 250mm |
工作台数量 | 3个工作台 |
工作台形式 | 机械轴(标配)承或空气轴承(选配) |
工作台转速 | 1-600rpm |
测厚机构 | 2点接触式测厚机构 |
测厚精度 | 1um |
测厚范围 | 0-1.2mm |
料盒数量 | 每个工作单元(减薄&抛光)各2个料盒 |
抛光机构功率 | 3kW 交流伺服电机(0-460rpm) |
| 抛光波速 | 100-8000mm/min |
| 抛光压力 | 50-999g/cm2 |
| 抛光磨轮尺寸 | 200mm |
| 抛光台转速 | 50-200rpm |
| 真空盘材质 | 氧化铝边框+陶瓷气孔盘 |
| 自洁方式 | 水冲+刷洗 |
