SHINKAWA FPB-1s NeoForceフリップチップボンダ
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    SHINKAWA_FPB-1s NeoForceフリップチップボンダ特長:

    マルチプロセス対応パッケージボンダ

    Chip to SubstrateのTCB工法対応パッケージボンダ

    Face down工法対応(Face up工法はオプション)

    TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2、C4、FO-WLP工法等に対応可能

    独自のNVS[Non Vibration System]技術により、高精度なボンディングを実現

    FFG[Force Free Gantry]により、350Nまでの高荷重に対応

    高速パルスヒータによる短時間加熱・冷却により高スループットを実現

    各種突き上げ方式に対応し、薄ダイのハンドリングが可能

    品種自動切換え機能により4品種までの異種チップボンディング機能を有し、2.5D、3D積層に対応






    SHINKAWA_FPB-1s NeoForceフリップチップボンダ仕様:


    品名

    パッケージボンダ

    型式

    FPB-1s NeoForce

    ボンディング対応工法

    TCB工法(NCP/NCF/TC-CUF)、C2,C4工法、FO-WLP工法

    ボンディング精度

    ±2.5μm(3σ) 当社実装条件による

    マシンUPH

    UPH6,000 (C4 mode / プロセスタイムは含まない) 当社実装条件による

    ボンディング荷重

    0.3~350N

    ※ボンディングプロセスにおける荷重制御方式の選択が可能 

    但し、同一ボンドプロファイル内で低荷重制御と高荷重制御の切り替え不可 

    ・低荷重制御方式:0.3~20N  

    ・高荷重制御方式:10~350N 

    ボンディングツール

    設定温度

    室温~400℃ (1℃/ステップ、パルスヒート)

    ボンディング

    ステージ設定温度

    室温~110℃ (1℃/ステップ)

    チップサイズ

    □1~22mm t=0.02~0.7mm

    チップウェーハサイズ

    φ200mm、φ300mm

    基板サイズ

    L : 120 – 300 mm, W : 40 – 200 mm (Max 450mm option), t : 0.2 – 2.5 mm

    ボンディング方向

    Face down / Face up (オプション / 条件はご相談下さい)

    オプション

    通信インターフェース SECSⅡ、HSMS、GEM

    駆動源

    入力電源

    単相 AC200V~240V±5% 50/60Hz

    (異なる電圧は、ご相談下さい)

    消費電力

    最大14.0kW

    エアー

    570kPa(5.7kgf/cm2)300L/min 接続:φ10 Tube 3ヶ所

    真空

    -75kPa(-550mmHg)以下(ゲージ圧) 

    接続:φ10 Tube 3ヶ所

    装置寸法及び質量

    約1,510W × 1,620D × 1,750H mm 約2,500kg (モニタ、表示灯は含まない)




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